通常被认为是现代自旋电子学的诞生

自旋电子学领域的进步不断激发了工业突破性新型电子设备的发明。2007年，巨磁电阻（GMR）的发现被授予诺贝尔物理学奖 - 这是一个重要的里程碑，通常被认为是现代自旋电子学的诞生。发现后不久，科学家们成功地意识到电子自旋在提高硬盘驱动器信息处理速率和密度方面的潜力。作为这项基础研究的直接结果，当今可用的每个硬盘和磁带存储系统都使用自旋电子头来读取数据。

目前，从事自旋电子学工作的科学家继续开发创新和激进的新器件应用，其中对磁性技术的兴趣日益浓厚，这些技术可以在高度本地化的领域中实现高密度，低功耗的数据存储。在EURAMET研究计划下工作的欧洲计量机构的协作力量为磁性技术以及纳米级电子学和自旋电子器件的材料表征等其他领域做出了重要贡献。虽然纳米级的磁性技术为数据存储提供了有前途的应用，但仍需要弥合该领域现有的知识差距。特别是，需要可靠的技术来测量基本的新现象，如自旋塞贝克效应 - 其中电子自旋和热梯度的复杂相互作用直到最近才被观察到产生自旋电流，这是由铁磁体上温度的变化引起的。